特許

J-GLOBAL ID：200903058794249877

絶縁膜の形成方法及びそれを用いた半導体装置と半導体装置製造方法

発明者： 澤田 和幸 ,  菅原 岳 ,  青井 信雄 ,  宝珍 隆三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031096
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233500
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 吸湿性による誘電率の経時変化がなく、半導体装置の製造プロセスにおいて問題のない耐熱性と酸素プラズマ耐性とを有し、比誘電率が2.5〜3.0の絶縁膜を形成する方法、及びそれを用いた半導体装置と半導体装置製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 有機シラン化合物あるいはシロキサン化合物を容器内に充填して一定温度に加熱し、キャリアガスによりバブリングすることにより加熱した配管を通して反応室内に導入する。反応室1内に導入された反応ガスを所定圧力に調整した後、反応室内の上部電極に所定周波数を有する所定の高周波電力を印加し、基板上にフッ素及び有機を含む酸化珪素を有する絶縁膜を形成する。形成された絶縁膜は多層配線を有する半導体装置の層間絶縁膜として用いられる。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される有機シラン化合物を含む雰囲気中において、プラズマCVD法によりプラズマを生成し、炭素、水素、及びフッ素を含む酸化珪素を有する絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。XmR1nSi(OR2)4-m-n ・・・(1)上記式(1)において、R1は炭素数1〜6のアルキル基、R2は炭素数1〜3のアルキル基あるいは炭素数1〜3のフッ化炭素、Xはフッ素または炭素数1〜3のフッ化炭素、そしてmとnは1〜2の整数である。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K