特許

J-GLOBAL ID：200903058794795251

フッ素を含むシリコン系酸化膜およびその製造方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335579
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、フッ素を含むシリコン系酸化膜の耐熱性を確保して信頼性を維持した状態で低誘電率化を図る。【構成】 フッ素を含むシリコン系酸化膜に窒素原子を含むもので、膜中に含まれる窒素原子の濃度は、0.1atomic%以上5atomic%以下である。その製造方法は、例えばシラン系ガスとフッ素を含むガスと酸化二窒素ガスとからなる原料ガスを用いる、または少なくともシラン系ガスと酸素を含むガスとフッ素を含むガスとアンモニアガスとを含む原料ガスを用いる、または少なくともシラン系ガスと酸素を含むガスとフッ素を含むガスと窒素ガスとを含む原料ガスを用いる化学的気相成長法による。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むシリコン系酸化膜において、前記フッ素を含むシリコン系酸化膜は窒素原子を含むことを特徴とするフッ素を含むシリコン系酸化膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 K