特許

J-GLOBAL ID：200903058795163453

半導体レーザ装置

発明者： 兼岩 進治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138421
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 異なる波長を有するレーザ光の発光点間隔を100μm以下にする。【解決手段】 複数の半導体レーザチップを単一のパッケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパッケージから選択的に取り出す半導体レーザ装置であって、少なくとも1つの半導体レーザチップから出射するレーザ光が、他の半導体レーザチップの少なくとも1つを通過してパッケージ外に取り出されてなることを特徴とする

請求項（抜粋）：

複数の半導体レーザチップを単一のパッケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパッケージから選択的に取り出す半導体レーザ装置であって、少なくとも1つの半導体レーザチップから出射するレーザ光が、他の半導体レーザチップの少なくとも1つを通過してパッケージ外に取り出されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (7件)：

5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073AB15 ,  5F073AB25 ,  5F073BA06 ,  5F073EA04 ,  5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-196634
  
• 特開平4-245493
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038529   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社