特許
J-GLOBAL ID：200903058797507311
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239946
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107088
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 個々のチップにダイシングされたウェーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チップ表面の欠けの発生を防止する。【構成】 1)紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテープを保持し,該UVテープの上側より紫外光を照射する過程を有する,2)紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し,該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有する。
請求項（抜粋）：
紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテープを保持し,該UVテープの上側より紫外光を照射する過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 P
, H01L 21/78 Q
