特許
J-GLOBAL ID:200903058798200031

多層レジストプロセス用中間層組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-319942
公開番号(公開出願番号):特開2004-157161
出願日: 2002年11月01日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、上層レジストパターニング時の裾引き形状、ラインエッジラフネス、上層レジストのパターン剥れに優れた多層レジストプロセス用中間層組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の構造を有するケイ素含有重合体(A)を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表わされる繰り返し単位を有する重合体(A)を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用中間層組成物。
IPC (4件):
G03F7/26 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027
FI (4件):
G03F7/26 511 ,  G03F7/075 511 ,  G03F7/11 502 ,  H01L21/30 573
Fターム (19件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA14 ,  2H025DA40 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096KA02 ,  2H096KA08 ,  5F046NA06 ,  5F046NA07

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