特許
J-GLOBAL ID：200903058804631040
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335277
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 処理すべき試料の表面に対して従来例に比較して均一にかつ安定に高い密度のプラズマを照射することができ、しかも小型・軽量化することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室10内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部に所定の角速度で回転する回転電界Eを発生する電界発生装置と、上記プラズマ処理室の内部に上記回転電界Eの方向と垂直な方向に磁界Bを発生する磁界発生装置とを備える。
請求項（抜粋）：
内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部に所定の角速度で回転する回転電界を発生する電界発生手段と、上記プラズマ処理室の内部に上記回転電界の方向と垂直な方向に磁界を発生する磁界発生手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, B01J 19/08
, C23F 4/00
