特許

J-GLOBAL ID：200903058805493821

成膜方法および装置

発明者： 有働 勉 ,  川原 雅人 ,  笠原 修
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241906
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099157
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 縦型CVD装置を用いた成膜工程において、ダミーウエハ、反応室の内壁、治具の表面などからの膜の剥離を防止する。【構成】 縦型CVD装置1を用いて半導体ウエハ5の表面に薄膜を形成する際、反応室4の内壁やウエハボート6あるいはダミーウエハ12を、熱膨張係数、ヤング率、熱伝導率などが薄膜と同一ないし近似した材料で構成する。

請求項（抜粋）：

複数枚の半導体ウエハと、前記複数枚の半導体ウエハ間の膜厚分布を均一にするためのダミーウエハとを反応室に収容し、前記半導体ウエハの表面にCVD法を用いて薄膜を形成するに際し、前記薄膜の材質に応じて前記薄膜と同等もしくは近似の材質のダミーウエハを使用することを特徴とする成膜方法。