特許
J-GLOBAL ID：200903058808646440
膜形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004112
公開番号（公開出願番号）：特開平7-207427
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：
【要約】【目的】基体上に膜を形成する方法であって、基体に損傷を与えずに基体表面を清浄した後、その基体上に膜を形成する方法を提供する。【構成】所定真空下で被成膜基体表面に酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスを吹きつけるとともに紫外線を照射し、次いで所定真空下でその基体表面にイオン照射した後、所定真空下でその基体上に膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
請求項（抜粋）：
所定真空下で被成膜基体表面に酸素ガスを吹きつけるとともに紫外線を照射し、次いで所定真空下で該基体表面にイオン照射した後、所定真空下で該基体上に膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
