半導体装置およびその作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261289
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】半導体膜の結晶化に対して触媒作用のある金属元素を用いて得られる結晶質半導体膜に残存する当該金属元素を効果的に除去する技術を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は平坦化処理した絶縁膜102上に形成した窒化珪素膜103上に設けられた結晶構造を有する第1の半導体膜106上にバリア層107と、希ガス元素を含む第2の半導体膜109とを形成し、第1の半導体膜106に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層107を通過させて前記第2の半導体膜109に移動させるゲッタリングを行う。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に第1電極と、該第1電極上に平坦な第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に窒化珪素膜からなる第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に半導体層と、該半導体層上に第3絶縁膜と、該第3絶縁膜上に第2電極とを有し、前記第1電極は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を間に挟んで前記半導体層と重なっており、前記第2電極は、前記第3絶縁膜を間に挟んで前記半導体層と重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/322

FI (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 J , H01L 29/78 627 Z , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 A , H01L 29/78 627 G

Fターム (60件)：

5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN42 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN48 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28

前のページに戻る