特許
J-GLOBAL ID：200903058812870738
フォトニック結晶とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162459
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 製造方法が簡単であって、例えば半導体レーザの反射ミラーや光導波路に用いるためのフォトニック結晶とその製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板であるGaAs半導体基板10上にMOCVD法により半導体層であるGaAsバッファ層11を形成した後、原子間力顕微鏡(AFM)微細加工法を用いてバッファ層11を互いに所定の間隔をあけて周期的に酸化することにより微細な酸化物マスク11aを形成し、酸化物マスク11aが形成されたバッファ層11上に、MOCVD法を用いて光導波路を形成するためのクラッド層12、コア層13、クラッド層14を含む薄膜材料層を形成することにより酸化物マスク11aが形成された部位には薄膜材料層12,13,14を形成しない一方、酸化物マスク11aが形成されていない部位には薄膜材料層12,13,14を形成してなる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に半導体層を形成した後、所定の微細加工法を用いて上記半導体層を互いに所定の間隔をあけて周期的に酸化することにより微細な酸化物マスクを形成し、周期的な酸化物マスクが形成された半導体層上に、所定の結晶成長法を用いて所定の薄膜材料層を形成することにより、酸化物マスクが形成された部位には当該薄膜材料層を形成しない一方、酸化物マスクが形成されていない部位には当該薄膜材料層を形成してなることを特徴とするフォトニック結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, H01S 3/18 640
2H047PA06
, 2H047PA24
, 2H047QA02
, 2H047TA05
, 5F073CA04
, 5F073DA05
, 5F073DA35
