特許

J-GLOBAL ID：200903058814818318

パラジウム錯化合物の製造方法

発明者： 久米 孝司 ,  成塚 智 ,  小出 誠
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178395
公開番号（公開出願番号）：特開2001-002692
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】 パラジウム-ホスフィン錯化合物の新規な製造方法を提供する。【解決手段】一般式(1)ArX (1)(式中、Arは芳香族基を表し、Xはハロゲン(フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう)、トリフルオロメタンスルホネート基、炭素数1〜4のアルキルスルホネート基、置換または非置換アリールスルホネート基を表す)で表される芳香族化合物とパラジウム化合物とホスフィンを塩基性物質の存在下混合し反応させることからなる一般式(2)Ar-PdL2X (2)(式中、Lはホスフィン配位子を表し、Ar、Xは一般式(1)における意味と同じ)で表されるパラジウム錯化合物の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)ArX (1)(式中、Arは芳香族基を表し、Xはハロゲン(フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう)、トリフルオロメタンスルホネート基、炭素数1〜4のアルキルスルホネート基、置換または非置換アリールスルホネート基を表す)で表される芳香族化合物とパラジウム化合物とホスフィンを塩基性物質の存在下混合し反応させることからなる一般式(2)Ar-PdL2X (2)(式中、Lはホスフィン配位子を表し、Ar、Xは一般式(1)における意味と同じ)で表されるパラジウム錯化合物の製造方法。

IPC (3件)：

C07F 15/00 ,  B01J 31/24 ,  C07B 61/00 300

FI (3件)：

C07F 15/00 C ,  B01J 31/24 Z ,  C07B 61/00 300

Fターム (22件)：

4G069AA08 ,  4G069BB13A ,  4G069BC72A ,  4G069BE26A ,  4H039CA65 ,  4H039CD20 ,  4H050AA02 ,  4H050BB11 ,  4H050BB15 ,  4H050BB16 ,  4H050BB20 ,  4H050BB21 ,  4H050BB24 ,  4H050BB25 ,  4H050BB31 ,  4H050BD60 ,  4H050BE60 ,  4H050WB11 ,  4H050WB15 ,  4H050WB16 ,  4H050WB17 ,  4H050WB21