特許

J-GLOBAL ID：200903058814865766

高純度SiO2の製造方法および装置

発明者： 徳丸 慎司 ,  近藤 次郎 ,  島田 春男 ,  平野 兼次
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115773
公開番号（公開出願番号）：特開2002-316814
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 SiO固体またはSiO気体を用いて安価でかつ高純度のSiO2を製造する方法を提供する。【解決手段】 SiO固体を、1000°C以上1730°C以下の温度に加熱し、固体状態のSiOを液体または固体のSiと固体のSiO2に分解反応させ、生成したSiO2を、下部分のSiと分離した後、該SiO2を、さらに加熱して高純度化する。または、純化したSiO気体から、酸化性気体により高純度のSiO2を得る。本発明によれば、SiO2の光透過性や粘性などに影響を与えるOH、Cl、金属成分などの不純物が除去され、不純物の総量が10ppm以下のSiO2を、光ファイバーなどの光学製品や半導体用高純度石英製品の原料として安価に供給することができる。

請求項（抜粋）：

SiO固体を、1000°C以上1730°C以下の温度に加熱し、固体状態のSiOを、液体または固体のSiと固体のSiO2に分解反応させ、生成したSiO2を、大部分のSiと分離した後、該SiO2を、さらに加熱することを特徴とする高純度SiO2の製造方法。

Fターム (7件)：

4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH13 ,  4G072MM03 ,  4G072MM08 ,  4G072MM21