特許
J-GLOBAL ID：200903058817469888
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084300
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297487
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】低閾値電流、高出力かつ低雑音特性を有したII-VI族半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板1上に、光導波層3、5に挾まれた発光活性層4からなるダブルヘテロ接合構造を有し、発光活性層5は量子井戸構造で、光導波層5は横モードを制御する屈折率導波リッジストライプ構造を形成し、上記リッジストライプ上部の幅は底部よりも狭く、上記リッジストライプの外側に対してレーザ光に透明な電流狭窄層7とレーザ光を吸収する電流狭窄層8を設けた。【効果】25°Cの連続動作条件において閾値電流は50〜60mAであり、前面、後面の反射率が10%、90%である非対称コーティングの素子で、光出力40mW以上まで基本横モードで動作する。電流狭窄層7の膜厚により10mW〜40mWまで自励発振の得られる光出力を調節できた。戻り光量が5%のとき、雑音(RIN)レベルは-125〜-140dB/Hzの低い範囲であった。発振波長は、光出力20mWのとき520〜530nmを得た。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に2つの光導波層に挾まれた上記光導波層の禁制帯幅より小さい活性層からなるダブルヘテロ接合構造を有した半導体レーザにおいて、上記活性層は量子井戸構造であり、上記光導波層の少なくとも1つは光軸方向に垂直な断面形状が中央部が台形で両側の裾部が平坦部となるリッジストライプ構造をもち、上記リッジストライプの横側で上記光導波層上にレーザ光に透明な第1の電流狭窄層と、上記第1の電流狭窄層の上側にレーザ光を吸収する第2の電流狭窄層との少なくとも2段階の埋込み層が設けられたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
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