イオン注入処理の調整に使用する方法及びそのイオン注入装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130646
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003880
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】光学分析の結果を用いて、イオン注入処理パラメータを予測したイオン注入処理の調整方法及びそのイオン注入装置を提供すること。【解決手段】イオン源室12にイオン集中を生じさせ、この光学分析データを記録し、イオン集中からのイオンを加工物に衝突させて処理する。この処理後に加工物の注入処理パラメータを求め、この注入処理パラメータと、イオンプラズマの特性と決定する光学分析データを一緒にデータベースに格納する。これらのパラメータは、集積回路を作り出すための他の処理工程での使用において、ウエアのイオン注入を最適化することができる。また、コンピュータ上で実行する分析ツールは、注入処理パラメータを用いて、光学分光計のデータを補正できる。

請求項（抜粋）：

(a) イオン源室(12,220)においてイオンの集中を生じさせ、(b) このイオン集中の光学分析を実行して、光学分析データを記録し、(c) 前記イオン源室のイオン集中から生じたイオンを1つまたはそれ以上の加工物に衝突させて前記加工物(14)を処理し、(d) 前記加工物のイオン処理後に加工物の注入処理パラメータを求め、(e) 記録のデータベース(280) を記憶媒体にストアし、それにより、後続のアクセスのために、所定のイオン集中に対する加工物の注入処理パラメータと光学分析データを一緒にストアする、各工程を有することを特徴とするイオン注入処理の調整に使用する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , C23C 14/48 , H01J 37/317

FI (4件)：

H01L 21/265 T , C23C 14/48 Z , H01J 37/317 Z , H01L 21/265 603 Z

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