特許

J-GLOBAL ID：200903058819829717

半導体発光装置

発明者： 鈴木 真理子 ,  板谷 和彦 ,  菅原 秀人 ,  岡島 正季
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234766
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094780
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 InGaAlP系材料を用いても、高Al組成InGaAlPの低抵抗p型層を実現し、かつ良好な表面モホロジー及びヒロック密度を実現することができ、素子特性の向上及び製造歩留まりの向上をはかり得る半導体発光装置を提供すること。【構成】 In1-y (Ga1-x Alx )y Pからなり、活性層15をp型クラッド層16及びn型クラッド層14で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光装置において、p型クラッド層16のAl混晶比xをx≧0.75とし、p型クラッド層16の酸素濃度を2×1017cm-3以下に設定してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

In1-y (Ga1-x Alx )y Pからなり、活性層をp型クラッド層及びn型クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光装置において、前記p型クラッド層のAl混晶比xをx≧0.75とし、前記p型クラッド層の酸素濃度を2×1017cm-3以下に設定してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/205