特許
J-GLOBAL ID：200903058820464501
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000006203
公開番号（公開出願番号）：WO2001-022484
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2001年03月29日
要約：
【要約】平面研削されたウェーハの中心付近や外周縁部に生じる平坦度の低下を極力抑制し、平坦化ないし研磨工程においてこれらを容易に修正し平坦化し得る様にすることで、平面研削工程をへたウェーハから、高い平坦度を有する半導体ウェーハを効率よく製造することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。チャックテーブルに固定された半導体ウェーハをカップ型研削砥石を用いて平面研削するにあたり、該研削砥石を半導体ウェーハの外周縁より切り込み、半導体ウェーハの中心部で該研削砥石が半導体ウェーハを離脱するように、該半導体ウェーハの中心へ向けて研削し、該研削された半導体ウェーハをPACE法によって平坦化するようにした。
請求項（抜粋）：
チャックテーブルに固定された半導体ウェーハをカップ型研削砥石を用いて平面研削するにあたり、該研削砥石を半導体ウェーハの外周縁より切り込み、半導体ウェーハの中心部で該研削砥石が半導体ウェーハを離脱するように、該半導体ウェーハの中心へ向けて研削し、該研削された半導体ウェーハをPACE法によって平坦化するようにしたことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
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