特許
J-GLOBAL ID:200903058822041799

CuSnS系熱電変換半導体材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内田 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-208372
公開番号(公開出願番号):特開平8-078733
出願日: 1994年09月01日
公開日(公表日): 1996年03月22日
要約:
【要約】【目的】 熱電発電機に使用される新規なCuSnS系熱電変換半導体材料及びその製造方法に関する。【構成】 材料中に金属Cu及びCu4 SnS4 を含有することを特徴とするCuSnS系熱電変換半導体材料並びにCu、Sn及びSの比率が原子比で7〜9:1:3.5〜4.5となるような割合で原料のCu、Sn及びSを混合し、減圧下に加熱溶融したのち焼結してCuSnS合金とすることを特徴とする前記CuSnS系熱電変換半導体材料の製造方法。【効果】 熱起電力及び電気伝導率ともに高く、熱電変換性能に優れた熱電材料を容易に製造することができる。
請求項(抜粋):
CuSnS合金よりなる熱電変換半導体材料であって、該材料中に金属Cu及びCu4 SnS4 を含有することを特徴とするCuSnS系熱電変換半導体材料。

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