特許
J-GLOBAL ID：200903058827486217
メモリカード装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-046469
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】この発明は、EEPROMを使用してデータの書き込みスピード及び読み出しスピードを極力向上させ、SRAMカードライクに使用できるように改良を施したメモリカード装置を提供することを目的としている。【構成】コネクタ12を介して入力されバッファメモリ13に書き込まれたデジタルデータDAは、EEPROM17にページ単位で書き込まれる。バイト単位でのデータ書き替えが多く要求されるヘッダデータHDは、EEPROM17からページ単位でバッファメモリ13に転送し、バッファメモリ内でバイト単位でデータ書き替えされた後、ページ単位でEEPROM17に書き込まれる。外部とのデータ転送及びEEPROM17の書き込みベリファイは、いずれもバッファメモリ13を用いて行なわれる。
請求項（抜粋）：
全データ量が少なくバイト単位でのデータの書き込み及び読み出しが多く要求される性質を有する第1のデータ群と、全データ量が多く全体的にシーケンシャルな性質を有する第2のデータ群とを含むデータを入力し記録するメモリカード装置において、前記第1のデータ群を全て記録する記憶容量を有し、データの高速書き込み及び高速読み出しが可能で、外部とのデータ転送を行なうためのバッファメモリと、このバッファメモリとの間でデータの入出力を行なうもので、前記第1及び第2のデータ群がそれぞれ記録される第1及び第2の記憶領域を有し、ページ単位でのデータの書き込み及び読み出しが可能なEEPROMと、このEEPROMに記録された前記第1のデータ群に対してバイト単位のデータ書き替えが要求された状態で、前記EEPROMの第1の記憶領域の全データを前記バッファメモリに転送し、該バッファメモリ内でバイト単位のデータ書き替えを行なった後、該バッファメモリ内の全データをページ単位で前記EEPROMの第1の記憶領域に書き込む制御手段と、前記バッファメモリから前記EEPROMにデータを転送して書き込んだ状態で、該EEPROMに書き込まれたデータを読み出し前記バッファメモリのデータと比較して、一致していない状態で再度前記バッファメモリから前記EEPROMにデータを転送して書き込ませる判定手段とを具備してなることを特徴とするメモリカード装置。
IPC (3件)：
G06F 12/06 520
, G11C 7/00 315
, G11C 16/06
