特許
J-GLOBAL ID:200903058828837005

回路素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-228423
公開番号(公開出願番号):特開平9-074183
出願日: 1995年09月05日
公開日(公表日): 1997年03月18日
要約:
【要約】【課題】 高集積化可能な磁性体を用いた回路素子を提供する。【解決手段】 磁性体F1、F2、非磁性体N1及び導体端子からなる素子可動部と、スピン注入又は抽出バイアスを印加する電場印可部と、磁性体内の電気化学ポテンシャルを電流もしくは電圧として検知し、又は信号として出力する少なくとも1つの検知部Dと、素子可動部に信号磁場を印加する少なくとも2つの磁場印加部とにより構成する。
請求項(抜粋):
素子可動部Eと、スピン注入又は抽出バイアスを印加する電場印加部Vと、磁性体内の電気化学ポテンシャルを電流もしくは電圧として検知し、又は信号として出力する少なくとも1つの検知部Dと、前記素子可動部Eに信号磁場を印加する少なくとも2つの磁場印加部Mとからからなる回路素子であって、前記素子可動部Eは、nf個の磁性体F1、F2、・・・、Fnf(nf≧2)と、nn個の非磁性体N1、・・・、Nnn(nn≧1)とからなり、nfとnnとはnf≧nn+1なる関係を満たし、前記磁性体は少なくとも1つの前記非磁性体と接し、かつ、前記非磁性体は少なくとも2つの前記磁性体と接し、かつ、前記非磁性体には導体端子が接続され、前記導体端子の他方は前記検知部D、前記磁性体、前記電場印加部の基準バイアス側及び前記導体端子とは異なる導体端子からなる群から選ばれる1つに接続され、前記検知部Dは前記電場印加部の基準バイアス側と前記磁性体との間、前記非磁性体と前記磁性体との間、前記電場印加部の基準バイアス側と前記非磁性体との間及び異なる前記非磁性体間からなる群から選ばれる1つに接続され、前記電場印加部のバイアス印加側は前記磁性体のうちの少なくとも1つと接続され、前記電場印加部の基準バイアス側は前記非磁性体、前記磁性体及び前記検知部Dからなる群から選ばれる1つに接続され、前記少なくとも2つの磁場印加部は導体線からなり、前記磁場印加部の一方は前記電場印加部の基準バイアス側及び別の回路素子の基準バイアス側からなる群から選ばれる1つに接続され、前記磁場印加部の他方は前記検知部D及び別の回路素子の検知部からなる群から選ばれる1つに接続され、前記磁性体近傍、10nm以上5mm以下の位置に具備されていることを特徴とする回路素子。
IPC (3件):
H01L 27/22 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/00
FI (3件):
H01L 27/22 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/00

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