半導体メモリデバイス用電圧発生器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014191
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226078
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】発振信号を整流して直流電圧を得る半導体メモリデバイス用電圧発生器において、発振周期を制御することによりアクティブとスタンドバイ状態等で異なる漏洩電流に適切に対応でき、さらに、動作状態切換時の電圧変動を低減できる半導体メモリデバイス用電圧発生器を提供する。【構成】直列接続した奇数個のインバ-タIn1〜InN列の途中に、スイッチSw1〜Sw3により接続可能なバイパス回路51〜53を設け、発振信号Sgをバイパスして発振周期を制御する。インバ-タInNの出力には整流器RECを接続して直流電力を得る。スイッチSw1〜Sw3の動作は、バックバイアス電圧レベル検出信号、アドレスストロ-ブ信号、センス増幅器イネ-ブル信号、内部高電圧レベル検出信号、ワ-ドラインイネ-ブル信号、内部電力用電圧レベル検出信号の中の一つ、あるいは二つ以上の組合せ信号S1〜S3により制御する。

請求項（抜粋）：

半導体メモリデバイス内で必要な電圧発生器において、クロック信号を整流して直流電圧を生成する整流器と、直列に接続された奇数個の、入力信号を反転して出力するためのインバ-ティングデバイスと、該奇数個のインバ-タデバイスの終段の出力を初段のインバ-ティングデバイスの入力に帰還する手段とにより構成されるクロックパルス発生用の発振器と、該奇数個のインバ-ティングデバイスの初段と終段の間に接続されているインバ-ティングデバイスの一部を、コントロ-ルスイッチにより接続または非接続する少なくとも一つのバイパス回路を設け、発振信号をバイパス可能にしたことを特徴とする半導体メモリデバイス用電圧発生器。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , H02M 3/07

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭60-062147
特開平4-129264
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-031225 出願人：日本電気株式会社

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