特許
J-GLOBAL ID：200903058830190310
光電変換素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135834
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 変換効率の高い光電変換素子およびそれを簡単な工程で製造することができる方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1にPN接合が形成され、基板1の裏面にP側電流収集電極9およびN側電流収集電極10が形成された光電変換素子において、半導体基板1の中心部より周囲部の方が深いPN接合を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板にPN接合が形成され、前記基板の裏面にP側電流収集電極およびN側電流収集電極が形成された光電変換素子において、前記半導体基板の中心部より周辺部の方が深いPN接合を有することを特徴とする、光電変換素子。
Fターム (11件)：
5F051AA02
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA13
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA19
, 5F051FA24
, 5F051GA04
