特許
J-GLOBAL ID：200903058835292235
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162500
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 活性層と基板との間の格子歪みに起因する点欠陥が少なく長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、n型ZnSSe光導波層4、Zn1-x CdxOy S1-y 活性層5、p型ZnSSe光導波層6、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSeコンタクト層8、p型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層9およびp型ZnTeコンタクト層10を順次積層してレーザー構造を形成する。これらの層のうち、少なくともZn1-x Cdx Oy S1-y 活性層5の格子定数をn型GaAs基板1の格子定数とほぼ一致させる。
請求項（抜粋）：
Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のII族元素とSe、S、TeおよびOからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のVI族元素とからなるII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、少なくとも活性層の格子定数が基板の格子定数とほぼ一致していることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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