特許
J-GLOBAL ID：200903058836712122

不揮発性半導体記憶装置の多値書き込み及び読み出し方法

発明者：
川口 勉

川口 勉 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382391
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184191
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 電荷保持劣化および高電圧ストレスによる誤読み出しを防止しつつ、極力多くのデータ値を持つ多値データを記憶する。【解決手段】 書き込み判定電圧Va を、電圧VWRの幅で等間隔に設定する。また、各データ値に対する書き込み判定電圧Va とその低電位側に隣接する読み出し電圧Vr との各電圧差(マージンΔVm )を、電荷保持劣化によるしきい値電圧Vtmの低下が生じ易いしきい値電圧Vtmの高いものほど順次大きくなるように設定する。その結果、各データ値のしきい値電圧Vtmの最大値とその高電位側に隣接する読み出し電圧Vr との電圧差(マージンΔVd )は、高電圧ストレスによるしきい値電圧Vtmの上昇が発生し易いしきい値電圧Vtmの低いものほど順次大きくなるように設定される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に電荷蓄積層とコントロールゲートとを積層形成したメモリセルに、3値以上の相異なる値をとり得るデータを、そのデータ値に対応したしきい値電圧が設定されるように書き込み、読み出し電圧を印加してそのメモリセルに書き込まれたデータ値を読み出す不揮発性半導体記憶装置の多値書き込み及び読み出し方法において、書き込み処理における各データ値の書き込み判定電圧を等間隔に設定し、任意の相異なる2つの書き込みデータ値について、しきい値電圧の高い方のデータ値に対する前記書き込み判定電圧と前記読み出し電圧との電圧差が、しきい値電圧の低い方のデータ値に対する前記書き込み判定電圧と前記読み出し電圧との電圧差以上となるとともに、しきい値電圧が最大の書き込みデータ値に対する電圧差が、しきい値電圧が最小の書き込みデータ値に対する電圧差よりも大きくなるように各データ値に対する電圧差を設定し、書き込み処理において、書き込みにより設定されるしきい値電圧がそのデータ値に対応した前記書き込み判定電圧以上となるまで前記メモリセルへのデータの書き込みを繰り返し実行することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の多値書き込み及び読み出し方法。
FI (2件)：
G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 A
Fターム (6件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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