特許
J-GLOBAL ID：200903058842123856
単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されたエピタキシャルウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147791
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル膜との間で、格子整合性があり、熱膨張係数の差が小さく、かつ熱的にも安定であるという条件を備えた単結晶基板を提供し、その単結晶基板上に良好な格子整合性でエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル膜内の結晶欠陥を大幅に低減する。【解決手段】 この発明の単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されたエピタキシャルウェハは、一般構造式がA5 (PO4)3F(組成例?@、?A)、X2Z8(SiO4)6O2 (組成例?B、?C、?D)、X2Z8(PO4)6O2(組成例?E)、Li2B4O7(組成例?F)、La3Nb1-XGaXO14、あるいはLiHo(WO4)2 で表される単結晶を基板とし、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させて成る、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されたエピタキシャルウェハにおいて、上記単結晶基板を、一般構造式がA5 (PO4 )3F で表され構成元素Aが2A族元素であるアパタイト型六方晶で構成し、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させて成る、ことを特徴とする単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されたエピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
C30B 29/28
, C30B 29/22
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/28
, C30B 29/22 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
