特許

J-GLOBAL ID：200903058843657323

半導体装置およびその製造方法

発明者： 重本 建生 ,  牛野 卓浩 ,  河西 和雄
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012577
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半田付け工程にも充分な耐熱性を保有し、かつ成形加工性に優れ工業的生産性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子が熱可塑性樹脂で封止され、その封止樹脂表面が熱硬化性樹脂または活性エネルギー線硬化性樹脂で被膜されてなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体素子が熱可塑性樹脂で封止され、その封止樹脂表面が熱硬化性樹脂または活性エネルギー線硬化性樹脂で被膜されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 23/30 B

Fターム (18件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA07 ,  4M109CA21 ,  4M109CA22 ,  4M109EA12 ,  4M109EA15 ,  4M109EC05 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CA22 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13