半導体装置の製造装置、製造方法およびクリーニング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361394
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176807
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】アルカリ土類金属を含む材料を成膜またはエッチングする装置の内部をクリーニングするためのクリーニング方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置11内にアルカリ土類金属を錯体化させるガスをガス導入手段18sよりを導入する。これにより装置11内の不要堆積物中のアルカリ土類金属を錯体化させ、生成されたガスを排気装置24から排気する。錯体化のためのガスとしては、βジケトン系ガスやシクロペンタジエニル系ガスを含むものを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上にアルカリ土類金属を含む膜を成膜するための成膜手段、および、基板上のアルカリ土類金属を含む膜をエッチングするためのエッチング手段のうちの少なくとも一方を備える半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記半導体製造装置内に前記アルカリ土類金属を錯体化させるガスを導入し、前記装置内の不要堆積物中の前記アルカリ土類金属を錯体化させ、生成されたガスを排気する錯体化工程を含むことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C11D 7/24 , C11D 7/26 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/205 , C11D 7/24 , C11D 7/26 , H01L 21/302 N

Fターム (20件)：

4H003BA20 , 4H003DA15 , 4H003DB01 , 4H003DC01 , 4H003EB02 , 4H003EB03 , 4H003ED03 , 4H003ED30 , 5F004AA15 , 5F004BA14 , 5F004CB04 , 5F004DA00 , 5F004DA25 , 5F004DB08 , 5F004DB13 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045DP03 , 5F045EB06 , 5F045EH13

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