特許
J-GLOBAL ID：200903058848742620
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015953
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216294
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズパッケージに用いられるメタルポストの角部に形成されやすいスを防止する。【解決手段】 Cuより成る配線層7、メタルポスト8を被覆する絶縁樹脂層Rを第1の溝に形成する前に、ウェハ全面に被覆材Hを形成する。そしてスの発生防止と共に第1の溝TCの形成により発生する強度劣化を絶縁樹脂層Rにより改善する。またダイシングブレードDCを幅狭で形成すれば、被覆材Hや絶縁樹脂層Rで、ダイシング時に露出する界面を被覆保護できる。
請求項（抜粋）：
LSIの電極に電気的に接続されるメタルポストと、前記メタルポストの周囲を覆う樹脂と、前記メタルポストに接続される半田ボールまたは半田バンプとを有する半導体装置に於いて、前記メタルポスト下層の当接部周囲に形成される角部をなだらかにする被覆材が設けられている事を特徴とする半導体装置。
Fターム (15件)：
4M109AA01
, 4M109BA07
, 4M109CA04
, 4M109DB17
, 4M109EA02
, 4M109EA08
, 4M109EA11
, 4M109EA12
, 4M109EC01
, 4M109EC03
, 4M109ED02
, 4M109ED03
, 4M109ED05
, 4M109EE01
, 4M109EE03
