特許

J-GLOBAL ID：200903058860387887

III-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法

発明者： ヨツヘン ゲルナー ,  ヴエルナー シヤイラー
出願人/特許権者： テレフンケン エレクトロニク ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121353
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 低い接触抵抗および可視スペクトル領域および近赤外部の光線に対し高い反射率を有する、III-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する。【構成】 N型のIII-V族化合物半導体上にAuGe層を形成し、その際AuGe層の厚さは5〜50nmであり、ゲルマニウム濃度は1重量%以下である。AuGe層上に、厚さが200〜600nmであるAu層を設ける。この積層体を、温度約360〜390°Cで40〜180分間焼もどすかまたは温度430〜480°Cで5〜20秒間急速熱焼なましによってひずみ取りする。【効果】 この金属半導体接触部は、殊に赤外光または可視光を放出する半導体発光ダイオード用の全面の背面接触部として適当である。

請求項（抜粋）：

半導体層(1)上にAuGeからなる第1金属層(2)を分離し、その際第1金属層(2)のGe含量は1重量%を上廻らず、第1金属層(2)上にAuからなる第2金属層(3)を分離し、積層体を360〜390°Cで40〜180分間焼もどすことを特徴とするIII-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-124126
  
• 特開昭62-079618
  
• 特開昭59-002380
  
• 特開平1-175723
  
• 特開平2-079435