特許
J-GLOBAL ID：200903058861886437
可変減衰器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325121
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183752
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 温度依存性が小さく、温度特性の優れた可変減衰器の実現。【構成】 減衰回路2を形成するピン・ダイオード6a,6bは、電流Idによって導電度が変化して、入力信号Siを減衰させるが、負の温度係数をもつために、周囲温度の上昇とともに電流Idが増加し、減衰度の可変範囲が狭くなる。このためピン・ダイオード6a,6bに印加される減衰レベル設定信号Vdを、逆に正の温度係数をもつ正温度係数サーミスタ13a〜13cを含む減衰レベル設定回路3で生成して減衰回路2に印加する。したがって減衰レベル設定信号Vdは、周囲温度の上昇とともにレベルが低下し、ピン・ダイオード6a,6bの負の温度係数を打消すように働く。このため減衰回路2の減衰度は、周囲温度の変化に対して優れた安定性を示し、温度依存性が可及的に改善された可変減衰器が実現される。
請求項（抜粋）：
入力端子に入力される信号のレベルを減衰させて出力端子に導出する信号減衰手段と、前記入力される信号の減衰量を設定するための設定信号を、前記信号減衰手段に与える設定信号出力手段とを備え、前記信号減衰手段は、正または負の温度係数を有し、前記設定信号のレベルに対応して導電度が変化する可変導電性半導体素子を含み、前記設定信号出力手段は、任意に設定される減衰量に対応する設定信号を発生する信号発生手段と、前記信号発生手段から導出される設定信号のレベルを、周囲温度に対応して変化させる感温性抵抗素子とを含むことを特徴とする可変減衰器。
IPC (4件)：
H03H 7/25
, H03H 11/24
, H03H 11/54
, H03K 17/74
