有機薄膜トランジスタ素子とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249656
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】有機化合物半導体膜を用いた薄膜トランジスタをに関して、電流密度を上げるためにチャネル長を狭くする構成を提供した。【解決手段】基板上に形成したゲート電極及びゲート絶縁膜に対して、有機化合物半導体膜が斜めに接触している構造を特徴としている。これによってソース、ドレイン電極間にできるチャネル長は有機化合物半導体膜の厚みと傾斜角によって自由に変更可能である。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に配置されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁膜及び有機物からなる有機化合物半導体層とで構成された有機薄膜トランジスタ素子であって、前記有機化合物半導体層とゲート絶縁層とが角度がθ(0°<θ<90°)で接触する積層構造を有する有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 51/00

FI (8件)：

H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 Z , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 617 M , H01L 29/28

Fターム (82件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB19 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD32 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF06 , 4M104GG08 , 4M104GG20 , 4M104HH20 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE41 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF21 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06

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