シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174268
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012465
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】特性の優れたシリコン膜および太陽電池を、安価に製造する。【解決手段】ガラス基板Bの膜形成面の面積と同等もしくはそれ以上の大きさを有するガス吹き出し口4aに対して、ガラス基板Bをその膜形成面を対向させて配置したうえで、高次シランを主成分とするガスをガス吹き出し口aから膜形成面に向けて吹き付けてシリコン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン膜被形成体の膜形成面の面積と同等もしくはそれ以上の大きさを有するガス吹き出し口に対して、シリコン膜被形成体をその膜形成面を対向させて配置する工程と、高次シランを主成分とするガスを前記ガス吹き出し口から前記膜形成面に向けて吹き付け、吹き付けたガスを前記膜形成面上で分解させてシリコン膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C01B 33/02 , C23C 16/24 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 , C01B 33/02 D , C23C 16/24 , H01L 31/04 X

Fターム (61件)：

4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072BB09 , 4G072BB13 , 4G072FF01 , 4G072FF02 , 4G072FF04 , 4G072FF07 , 4G072GG03 , 4G072HH03 , 4G072JJ25 , 4G072JJ44 , 4G072LL11 , 4G072LL13 , 4G072MM01 , 4G072NN21 , 4G072RR01 , 4G072UU02 , 4K030AA05 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030BB05 , 4K030CA01 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA17 , 4K030HA15 , 4K030KA23 , 4K030KA25 , 4K030LA16 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DP05 , 5F045DP11 , 5F045EB20 , 5F045EF05 , 5F045EK07 , 5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051CA06 , 5F051CA07 , 5F051CA20 , 5F051CA24 , 5F051DA04 , 5F051GA03

前のページに戻る