特許
J-GLOBAL ID：200903058866647724
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252590
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電子のオーバーフローを抑制し、かつ結晶性の良好な活性層を有する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 n型InP基板101と、前記n型InP基板1上に形成されたp型InPクラッド層106およびn型InPクラッド層102と、前記p型InPクラッド層106と前記n型InPクラッド層102との間に形成され、InGaAsP障壁層109とInGaAsP井戸層108とを交互にそれぞれ2層以上形成してなる活性層104とを備え、隣り合う前記InGaAs障壁層109と前記InGaAs井戸層108との伝導帯のバンドオフセット量の絶対値を前記p型InPクラッド層106に近づくほど大きくする。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されたp型クラッド層およびn型クラッド層と、前記p型クラッド層と前記n型クラッド層との間に形成され、障壁層と井戸層とを交互にそれぞれ2層以上形成してなる活性層とを有し、隣り合う前記障壁層と前記井戸層との伝導帯のバンドオフセット量が前記p型クラッド層に近いほど大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (5件)：
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073EA29
