特許
J-GLOBAL ID：200903058870662517
シリコン単結晶の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094483
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305880
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 点欠陥密度の小さな高品質シリコン単結晶を得る。【構成】 坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、融液界面16から凝固界面15が育成単結晶インゴット10側に膨み、その融液界面16からの最大突出量hが15mmを越えるものとなるように制御して単結晶を育成する。
請求項（抜粋）：
坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、融液界面から凝固界面が育成単結晶インゴット側に膨み、その融液界面からの最大突出量が15mmを越えるものとなるように制御して単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/22
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
