特許
J-GLOBAL ID：200903058871493530
コンタクトホールパターニングのための明視野イメージ反転
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-544767
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515058
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
小さなコンタクトホール(160)を形成する方法では、明視野マスク(130)を使用して、ポジ型レジスト層(120)に小さな柱(140)を形成する。ネガ型レジスト層(150)が小さな柱のまわりに形成され、次にエッチバックまたは研磨されて、ネガ型レジスト層の上で露光された小さな柱の上部分を残す。ネガ型レジスト層および小さな柱(ポジ型レジスト)は投光照明露光され、次に現像液にさらされる。小さな柱が以前に位置していた場所に小さなコンタクトホール(160)が残存する。
請求項（抜粋）：
半導体素子のコンタクトホールを形成する方法であって、
基板(100)上に層間誘電体層(110)を形成し、次に前記層間誘電体層の上にポジ型レジスト(120)を形成するステップと、
明視野マスク(130)を使用して前記ポジ型レジストを照射し、照射されたポジ型レジスト層を形成するステップとを含み、前記明視野マスクは、前記半導体素子内に形成されるコンタクトホールに対応するパターンを有し、前記方法はさらに、
前記ポジ型レジストを現像して、前記照射されたポジ型レジスト層を除去し、それにより前記層間誘電体層の上に残存している前記ポジ型レジストの一部分のみを残すステップと、
ネガ型レジスト(150)を塗布して前記層間誘電体層および前記ポジ型レジストの一部分を覆うステップと、
前記ネガ型レジストに凹みを作り、前記ポジ型レジストの一部分の上面領域が前記凹みを作られたネガ型レジストの上に延在するようにするステップと、
前記凹みを作られたネガ型レジストおよび前記ポジ型レジストの一部分を投光照明露光にさらすステップと、
現像液を前記半導体素子に与えて、前記ポジ型レジストの一部分を除去するステップとを含み、
前記ポジ型レジストの一部分が以前に形成された場所にコンタクトホール(160)が形成される、半導体素子のコンタクトホールを形成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 570
, G03F7/40 521
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA03
, 2H096HA30
, 2H096JA04
, 2H096LA02
, 5F046LA18
, 5F046LA19
