特許

J-GLOBAL ID：200903058874229346

カルコゲナイドガラス

発明者： 大石 泰丈 ,  森 淳 ,  金森 照寿 ,  須藤 昭一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273118
公開番号（公開出願番号）：特開平7-101749
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月18日
要約：

【要約】【目的】 従来のカルコゲナイドガラスの組成を改良し、希土類元素の添加が可能なガラスを実現する。【構成】 Ge系またはGe-As系のカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除いた組成が0<A<SB>2-X</SB>S<SB>a</SB>Se<SB>b</SB>またはAs<SB>2-X</SB>S<SB>a</SB>Se<SB>b</SB>+A<SB>2-X</SB>S<SB>a'</SB>Se<SB>b'</SB>≦75(モル%)、25≦GeS<SB>a'</SB>Se<SB>b'</SB>≦100(モル%)(ただし1≦a+b≦5、1≦a’+b’≦5、-0.2≦x≦1.5、Aは、Al、Ga、Tl、In、Sb、Biの群より選択された一種または二種)であり、A<SB>2-X</SB>S<SB>a</SB>Se<SB>b</SB>+GeS<SB>a'</SB>Se<SB>b'</SB>=100モル%となる範囲内にあることを特徴とする。【効果】 格子振動エネルギーの小さなカルコゲナイドガラスを母体とした希土類添加ガラスを提供することができ、このガラスを希土類添加光ファイバのコア素材として用いれば、希土類元素の4f殻内遷移の量子効果を飛躍的に高めた高効率なファイバレーザまたはファイバ増幅器を構成することができる。

請求項（抜粋）：

S、Se元素を陰イオンとし、Geを陽イオンとし、かつAl、Ga、Tl、In、Sb、Biの一種又は二種の元素と希土類元素の少なくとも一種類以上を含んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除いた組成が0<A<SB>2-X</SB>S<SB>a</SB>Se<SB>b</SB>≦75(モル%)25≦GeS<SB>a'</SB>Se<SB>b'</SB>≦100(モル%)(ただし1≦a+b≦5、1≦a’+b’≦5、-0.2≦x≦1.5、Aは、Al、Ga、Tl、In、Sb、Biの群より選択された一種または二種)であり、A<SB>2-X</SB>S<SB>a</SB>Se<SB>b</SB>+GeS<SB>a'</SB>Se<SB>b'</SB>=100モル%となる範囲内にあることを特徴とするカルコゲナイドガラス。