特許
J-GLOBAL ID：200903058882908104
可視光レーザダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082911
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 リッジ導波路型の可視光レーザダイオードの、製造工程における活性層界面へのZnのパイルアップを防止して、特性の向上を図ることのできる製造方法を得る。【構成】 n型GaAs基板1上にn型AlGaInPクラッド層21,GaInP活性層22,及びp型AlGaInPクラッド層25を含むダブルヘテロ構造を連続成長し、この成長基板上に逆メサリッジ3を形成した後、このリッジサイドに電流ブロック層4aを形成する際にリッジ上のSiNx 膜30を除去した状態でn型GaAs層の成長を行い、該リッジ上に(111)面方向には成長せず断面三角形状となるn型GaAs層4bを成長して、このn型GaAs層により、コンタクト層成長時のZnのパイルアップを防止するようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型GaAs基板上に順次結晶成長された第1導電型AlGaInPクラッド層,GaInP活性層,及び第2導電型AlGaInPクラッド層と、上記第2導電型クラッド層の一部をエッチング除去して形成したストライプ状リッジ構造と、上記ストライプ状リッジの両サイド上に配置された、該リッジの上端が突出するような層厚を有する第1導電型GaAs電流ブロック層と、上記ストライプ状リッジ頂上全面に配置された、断面三角形状の第1導電型GaAs層と、上記電流ブロック層上,電流ブロック層から突出したリッジ側壁上及び上記断面三角形状の第1導電型GaAs層上に形成された第2導電型GaAsコンタクト層とを備えたことを特徴とする可視光レーザダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
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