キャパシタの容量測定方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076079
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】キャパシタの容量を正確かつ迅速に求める。【解決手段】半導体又は導電体で構成された第1の領域201と、この第1の領域上に形成された絶縁膜205と、この絶縁膜上に形成された導電性の第2の領域206とからなるキャパシタの容量測定方法であって、キャパシタに印加するバイアス電圧を順次変化させるとともに、各バイアス電圧条件下において複数の周波数にて容量と損失の測定を行う工程と、測定によって得られた複数の周波数における容量と損失の測定値に基づき、各バイアス電圧条件下における補正された容量を順次求める工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体又は導電体で構成された第1の領域と、この第1の領域上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された導電性の第2の領域とからなるキャパシタの容量測定方法であって、前記キャパシタに印加するバイアス電圧を順次変化させるとともに、各バイアス電圧条件下において複数の周波数にて容量と損失の測定を行う工程と、前記測定によって得られた複数の周波数における容量と損失の測定値に基づき、各バイアス電圧条件下における補正された容量を順次求める工程と、を有することを特徴とするキャパシタの容量測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01N 27/22 , G01R 27/26 , G01R 31/26

FI (5件)：

H01L 21/66 L , G01N 27/22 C , G01R 27/26 C , G01R 27/26 T , G01R 31/26 B

Fターム (27件)：

2G003AA02 , 2G003AB05 , 2G003AB07 , 2G003AE02 , 2G028AA01 , 2G028BB11 , 2G028BC02 , 2G028CG07 , 2G028CG11 , 2G028DH03 , 2G028DH11 , 2G060AA09 , 2G060AE01 , 2G060AE26 , 2G060AF03 , 2G060AF10 , 2G060EA07 , 2G060EB09 , 2G060HC10 , 4M106AA08 , 4M106AA13 , 4M106AB02 , 4M106AC08 , 4M106CA02 , 4M106CA09 , 4M106CA11 , 4M106CA12

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