特許

J-GLOBAL ID：200903058883959845

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 青森 繁 ,  芳之内 淳 ,  垂井 敬次 ,  森田 達夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142743
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 TFTの半導体層へのイオン注入工程を効率よく行い、かつ、信頼性の高いTFTが得られる製造方法を提供する。【構成】 TFTのゲート電極5a,5bの膜厚およびゲート電極5a,5b上のレジストの膜厚により、チャネル部2c,3cに注入する水素イオン濃度を1×1019個/cm3以上1×1020個/cm3以下に制御し、チャネル部2c,3cにおける水素イオンの影響によるTFTのトランジスタ特性の低下を抑制する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、半導体層とゲート電極間にゲート絶縁膜が介在するように形成する工程と、該ゲート電極、および該ゲート電極形成時に用いたレジストマスクのうち少なくとも一方をマスクとして、該半導体層のチャネル部の水素イオン濃度が1×1019個/cm3以上1×1020個/cm3以下となるように該半導体層表面に周期律表第III族元素イオンと水素イオン、または周期律表第V族元素イオンと水素イオンのいずれかを加速して不純物元素の注入を行いソース・ドレイン部の形成と同時にチャネル部の水素化を行う工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 311 Y