特許

J-GLOBAL ID：200903058889242306

高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ド

発明者： 舟木 英之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051835
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268202
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 ショットキ-電極のエッジ部分に電界が集中するという問題を解決した高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ドを提供することを目的とする。【構成】 炭化珪素基板と、この炭化珪素基板上に形成された第1導電型の炭化珪素からなる活性層と、この活性層上に形成された開口部を有する絶縁膜と、開口部から露出する活性層上に形成されたショットキ-電極とを具備し、ショットキ-電極は、活性層とショットキ-接合を形成するとともに、ショットキ-電極の端部は、絶縁膜上に存在することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板と、この炭化珪素基板上に形成された第1導電型の炭化珪素からなる活性層と、この活性層上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部から露出する活性層上に形成されたショットキ-電極とを具備し、前記ショットキ-電極は、前記活性層とショットキ-接合を形成するとともに、前記ショットキ-電極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とする高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ド。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-281757
  
• 特開平2-264475
  
• 特開昭54-080688