特許

J-GLOBAL ID：200903058893492350

結晶質膜の製造方法

発明者： 山添 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256164
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 高価な溶融石英基板を使用することなく、約450°C以下の低温で十分満足できる電子の移動度を有するような、結晶粒径が約1μm以上の質のよい結晶質シリコンを得ることを目的とする。【解決手段】 まずガラス基板1上に易結晶化物質の層を形成し、ガラス基板1上に形成されたこの易結晶化物質の層に結晶化処理を施して結晶性層2を形成する。その後結晶性層2上に膜形成物質を沈積させて膜形成物質からなる結晶質膜3を形成する。この時、例えば、易結晶化物質としてはテルルや硫化カドミニウムを用い、結晶質膜としてシリコンやシリコン-ゲルマニウム合金を用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に易結晶化物質の層を形成する工程と、前記基板上に形成された易結晶化物質の層に結晶化処理を施して結晶性層を形成する工程と、前記結晶性層上に膜形成物質を沈積させて前記膜形成物質からなる結晶質膜を形成する工程とを有する結晶質膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 29/78 627 G