特許
J-GLOBAL ID：200903058893941430
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048948
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094955
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】EHチューナを構成要素として有するマイクロ波伝送路の内部を通してマイクロ波発生装置からマイクロ波を真空容器内へ導入し、真空容器内にマイクロ波放電プラズマを発生させて真空容器内の被処理基板の表面処理を行うプラズマ処理装置を、基板上のマイクロ波放電プラズマの面内密度分布が常に均一となる装置とする。【構成】真空容器1壁の複数位置に発光強度計17を取り付けるか、基板搬送用ハンド12にプローブを取り付けてハンドを移動させつつ、あるいは基板搬送用ハンド12にファラデーカップ16を取り付けてファラデーカップ16の基板直径方向各位置からの信号からマイクロ波放電プラズマの面内密度分布を自動計測し、EHチューナ10とマイクロ波発生装置11とを、マイクロ波放電プラズマの面内密度分布が均一となるように自動制御した後、被処理基板の処理工程に入る装置とする。
請求項（抜粋）：
筒状に形成され一方の端面に板状のマイクロ波透過窓により気密に閉鎖されるマイクロ波導入口が形成された真空容器と、マイクロ波発生装置と、真空容器とマイクロ波発生装置とを結合し内部をマイクロ波が伝わる中空導体からなるマイクロ波伝送路の一部を構成して該伝送路のインピーダンスを調節するEHチューナとを備え、マイクロ波発生装置で発振されたマイクロ波をマイクロ波伝送路を通しマイクロ波透過窓を透過させて真空容器内へ導入し、真空容器内にマイクロ波放電プラズマを発生させて該真空容器内の被処理基板の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記マイクロ波放電プラズマの被処理基板上における面内のプラズマ密度分布を、真空容器壁の複数位置に取り付けた発光強度計により自動測定し、測定されたプラズマ密度分布からEHチューナとマイクロ波発生装置とを自動制御してプラズマ密度分布の不均一度が所定値以下となるように自動制御した後、被処理基板の処理工程に入ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C23C 14/35
, C30B 25/08
, H01L 21/302
, H01L 21/31
, H05H 1/16
