特許

J-GLOBAL ID：200903058904700120

パワー半導体モジュール

発明者： 大井 健史 ,  武藤 浩隆 ,  菊永 敏之 ,  高橋 貢 ,  木ノ内 伸一 ,  堀口 剛司 ,  碓井 修 ,  奥田 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-171491
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 電流検出精度が高く、ノイズや設置スペースの問題が生じることのない電流センサを備えたパワー半導体モジュールを得る。【解決手段】 モジュールケース内に収納されたパワー半導体チップ1は、導電性樹脂12を介して電気的に接続された複数の導電性部材9、11と、導電性部材の少なくとも1つに設けられた電流センサ13と、電流センサの検出信号の出力レベルに応じて、パワー半導体チップのゲート電圧を制御する制御回路とを備えた。

請求項（抜粋）：

モジュールケース内にパワー半導体チップが収納されたパワー半導体モジュールにおいて、導電性樹脂を介して電気的に接続された複数の導電性部材と、前記導電性部材の少なくとも1つに設けられた電流センサと、前記電流センサの検出信号の出力レベルに応じて、前記パワー半導体チップのゲート電圧を制御する制御回路とを備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5件)：

G01R 15/18 ,  G01R 15/20 ,  G01R 19/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

G01R 15/02 G ,  G01R 19/00 B ,  G01R 15/02 B ,  H01L 25/04 C

Fターム (12件)：

2G025AA01 ,  2G025AA05 ,  2G025AA07 ,  2G025AB02 ,  2G025AB14 ,  2G035AA16 ,  2G035AA27 ,  2G035AC00 ,  2G035AD00 ,  2G035AD18 ,  2G035AD56 ,  2G035AD66