特許

J-GLOBAL ID：200903058904866451

蛍燐光体堆積法

発明者： ジャネット・ビー・イン・チュア ,  アズリダ アーマッド ,  クリストファー・ジェー・サマーズ ,  ヒシャム メンカラ
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (4件)： 後藤 政喜 ,  松田 嘉夫 ,  上野 英夫 ,  飯田 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077141
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286327
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 比較的小型かつ軽量で、長時間にわたって効率的な動作寿命を有し、電力効率が高く、望ましい動作特性を有する半導体デバイスを提供するための方法を提供する。 【解決手段】 半導体デバイスにコーティングするための方法であって、前記半導体デバイスがp側およびn側を有し、前記方法が、a)懸濁粒子を収用する槽を提供するステップであって、前記懸濁粒子が第1の蛍燐光体材料の粒子および第2の蛍燐光体材料の粒子を含み、第1の蛍燐光体材料の粒子が約1μm〜約6μmの範囲の平均粒度を有し、第2の蛍燐光体材料の粒子が約12μm〜約25μmの範囲の平均粒度を有し、前記槽中における前記蛍燐光体材料の前記粒度分布が二峰形であることを特徴とするステップと、b)半導体デバイスを前記槽中に配置するステップと、c)前記槽と電気的に接触する陽極とp側との間に第1バイアス電圧を印加し、陽極をp側に対して正電圧に保持するステップと、d)第2バイアス電圧をp側とn側との間に印加するステップとを有することを特徴とする。 【選択図】 図3A

請求項（抜粋）：

半導体デバイスにコーティングするための方法であって、前記半導体デバイスがp側およびn側を有し、前記方法が、 a)懸濁粒子を収用する槽を提供するステップであって、前記懸濁粒子が第1の蛍燐光体材料の粒子および第2の蛍燐光体材料の粒子を含み、第1の蛍燐光体材料の粒子が約1μm〜約6μmの範囲の平均粒度を有し、第2の蛍燐光体材料の粒子が約12μm〜約25μmの範囲の平均粒度を有し、前記槽中における前記蛍燐光体材料の前記粒度分布が二峰形であることを特徴とするステップと、 b)半導体デバイスを前記槽中に配置するステップと、 c)前記槽と電気的に接触する陽極とp側との間に第1バイアス電圧を印加し、陽極をp側に対して正電圧に保持するステップと、 d)第2バイアス電圧をp側とn側との間に印加するステップとを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  C09K11/08

FI (2件)：

H01L33/00 N ,  C09K11/08 J

Fターム (32件)：

4H001CA05 ,  4H001XA08 ,  4H001XA09 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA20 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA48 ,  4H001XA64 ,  4H001YA13 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA47 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA63 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA99 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,813,753号明細書
  
• 米国特許第5,998,925号明細書
  
• 米国特許出願第10/277,285号明細書
  
• 米国特許第6,576,488号明細書