特許

J-GLOBAL ID：200903058906279871

光半導体装置の製造方法

発明者： 山村 真一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-039179
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 光半導体素子を容易にかつ高精度に位置決めして載置することができる光半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 レーザダイオード1の端面の一方の活性層13周辺領域2aに励起光2を照射して、活性層13においてフォトルミネセンス発光させ、このフォトルミネセンス光の発光パターンをカメラ6で観測し、該観測データに基づいて、コンピュータ7内においてレーザダイオード1の端面における活性領域21の位置検出を行い、この位置検出結果に基づいて、レーザダイオード1を基板8上にアライメントしてボンディングするようにした。

請求項（抜粋）：

活性層を備えたリッジを電流ブロック層で埋め込んでなる埋込みリッジ構造を有する光半導体素子を用意する工程と、上記光半導体素子を載置する載置台を用意する工程と、上記光半導体素子の端面に光を照射して、上記活性層からフォトルミネセンス光を出射させる工程と、上記光半導体素子の端面から出射されるフォトルミネセンス光を検出し、該検出結果に基づいて上記光半導体素子の端面における活性領域の位置を検出する工程と、該活性領域の検出位置に基づいて上記光半導体素子を上記載置台に対して位置決めして、上記光半導体素子を上記載置台上に固定する工程とを備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 6/42 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02B 6/42 ,  H01L 33/00 M ,  H01S 3/18