特許
J-GLOBAL ID：200903058909247539
縦型絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160407
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 オン抵抗を低くするとともに、閾電圧とピンチ層内の抵抗値とを独立して設定できる二重拡散構造の電力素子を提供する。【構成】 n- 型エピタキシャル層2 の最表面にあらかじめヒ素を拡散し、ゲート酸化膜3 ,ゲート電極4 形成後、DSA技術と二重拡散によりゲート電極4 と自己整合的にp型ベース領域8 ,n+ 型ソース層7 を形成する。これにより、最表面においてはp型ベース領域8 の横方向の接合深さが補償され、実質的にチャネル9 のチャネル長が短くなる。また、従来と同じ閾電圧設計する場合、p型ベース領域8 の不純物密度は従来より最表面のヒ素の不純物密度分だけ高く設定することができ、p型ベース領域8 のn+ 型ソース層7 直下に形成されるp型ピンチ層14はそれだけ抵抗値を低くすることができる。
請求項（抜粋）：
高不純物濃度の半導体基板と、該半導体基板の一主表面側に、該半導体基板よりも低不純物濃度に形成された第1導電型の半導体層と、この半導体層の表面を主表面として該主表面上にゲート電極を含んで形成された絶縁ゲート構造と、該ゲート電極の端面近傍の前記半導体層の表面にチャネルを形成すべく、該ゲート電極と自己整合的に順次第2導電型と第1導電型の不純物を前記主表面より二重拡散して形成された第2導電型のウエルと第1導電型のソース層と、前記半導体層の前記チャネルを含む表層部に前記第2導電型のウエルの深さに比べて浅い深さで形成され、前記ウエルの横方向における接合深さ及び前記チャネルにおける正味の第2導電型不純物密度を規定する第1導電型の不純物拡散層とを備えることを特徴とする縦型絶縁ゲート型半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 H
, H01L 29/78 321 J
