特許

J-GLOBAL ID：200903058912536878

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 西岡 孝 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  今井 和雄
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153399
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004008
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 支持基板上に積層された薄膜半導体を主たる構成要素とする薄膜太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体を主構成要素とする母材基体と、支持基板とを接着剤を介して接着させる第一の工程と、該母材基体の一部と該接着剤と該支持基板からなる構成物を、該母材基体から剥離させる第二の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法において、上記接着剤が室温においてスピンコート法により塗布し、加熱後に硬化し酸化ケイ素を主成分とするスピンオンガラスである。

請求項（抜粋）：

半導体を主構成要素とする母材基体と、支持基板とを接着剤を介して接着させる第一の工程と、該母材基体の一部と該接着剤と該支持基板からなる構成物を、該母材基体から剥離させる第二の工程を含む薄膜太陽電池の製造方法において、上記接着剤が室温においてスピンコート法により塗布し、加熱後に硬化し酸化ケイ素を主成分とするスピンオンガラスであることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。