特許
J-GLOBAL ID：200903058915458665
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369161
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185757
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【目的】 基板とIII族窒化物系化合物半導体との熱膨張係数の相違に起因して発光層にかかる圧縮応力を可能な限り取り除く。【構成】 コンタクト層がインジウムを含むIII族窒化物系化合物半導体で形成されるので基板の近くに比較的厚膜で軟質な層が存在する、よって発光層に対する基板の影響が緩和される。
請求項（抜粋）：
基板、発光層及び前記基板と前記発光層の間に形成されるインジウムを含むIII族窒化物系化合物半導体からなるnコンタクト層とを備えてなり、該nコンタクト層は、必要に応じてバッファ層が介在される場合を除いて、前記基板に接して形成される、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (6件)：
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
