特許
J-GLOBAL ID：200903058919573760
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225286
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037074
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 基板を介しての容量成分による高周波動作時の性能の劣化、高出力動作時の放熱性の悪さからくる素子の短寿命性が課題であった。【解決手段】 熱伝導率の大きい窒化アルミニウムなどの材料を結晶成長用の基板として用いる。そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。誘電率の小さい窒化アルミニウム基板を用いることで、基板を介しての容量成分によるデバイス性能劣化を抑制することができる。また、窒化アルミニウムは熱伝導率の値が大きいので、特に高出力時において発生する熱を、基板を通して逃がすことができ、素子の長寿命化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
結晶成長用基板と、前記結晶成長用基板上に形成された少なくとも1層のGaAs層とを備え、前記結晶成長用基板の熱伝導率が、前記GaAs層の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4G077AA03
, 4G077BE46
, 4G077DB01
, 4G077EA02
, 4G077ED01
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EF03
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AF02
, 5F045AF07
, 5F045CA02
, 5F045CA05
, 5F045CA07
, 5F045DA53
, 5F045HA06
