特許

J-GLOBAL ID：200903058927206645

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 鳥井 康司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199333
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045320
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜への高電界ストレスによる半導体装置の電気特性の変動を最小限にし、信頼性の向上を図る。【構成】乾燥酸素雰囲気中で熱処理してシリコン酸化膜を形成した後に、活性化窒素雰囲気中で窒化し、シリコン基板のシリコン酸化膜との界面にSiOX NY層(X,Yは任意)を形成する。また乾燥酸素を供給する酸素供給管13と活性化窒素を供給する窒素供給管14を炉芯管11に接続し、窒素供給管11には活性化窒素を生成するための放電管16およびマイクロ波導波管15を設けている。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体ウェハを乾燥酸素雰囲気中で熱処理して酸化膜を形成する工程と、励起状態の活性化窒素雰囲気中で熱処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784