特許
J-GLOBAL ID：200903058932900665
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334130
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202209
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、アルカリ金属、重金属などの混入によるデバイス駆動安定性の低下を抑制することを目的とする。【構成】 pチャネル部分ソース、ドレイン電極多結晶シリコン膜3にBイオン6を注入し、引き続いてPイオン5を注入する。続いて非晶質シリコン膜8を形成し、この非晶質シリコン膜にXeClエキシマレーザ光9を照射して多結晶シリコン膜10を形成する。このエキシマレーザアニールの工程において、シリコンの温度が高温に達するためチャネル層付近に存在する不純物はソース、ドレイン領域まで移動し、ソース、ドレインのPおよびBにゲッタされる。本発明ではBに加えてさらにゲッタリング能力の高いPを注入しているため、pチャネルトランジスタにおいてもnチャネルトランジスタと同程度のゲッタリング能力を持たせることができる。
請求項（抜粋）：
不純物を含む多結晶シリコン薄膜からなるソース、ドレインと、エキシマレーザアニールによる活性層多結晶シリコン薄膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極からなる多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、pチャネルトランジスタのソース、ドレイン用多結晶シリコン膜にボロンとリンが含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/268
, H01L 21/322
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 C
, H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 Y
